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【央视新闻客户端】
来源:财联社
财联社10月25日讯(记者 王碧微)“这次涨价的特别之处在于,我在这个行业这么多年,之前从未见过涨价周期能够持续这么久。”国内一家存储模组厂的员工近日向财联社记者感叹道。
眼下,存储芯片市场正经历一场由AI驱动的、前所未有的全面缺货与涨价潮。这场始于上半年的涨势,进入第四季度非但没有趋缓,反而有进一步加剧的迹象。
有存储产业链人士告诉财联社记者,目前部分存储原厂已经对部分Dram和Flash产线采取暂停报价策略;涨价压力亦已传导至终端市场,小米集团创始人雷军24日在微博上直言,“最近内存涨价实在太多”。
究其原因,此轮涨价的核心驱动力并非简单的周期性波动,而是以HBM为代表的AI需求爆发,正彻底打破存储行业的传统供需平衡。
TrendForce集邦咨询分析师许家源向财联社记者指出,原厂产能正优先分配给高阶Server DRAM和HBM,从而挤压了传统消费电子所需的DDR4、LPDDR4X等旧制程产品供给,DDR4的紧缺或持续到26年的H1。对于国内厂商而言,许家源认为模组厂已积极储备颗粒及晶圆(wafer)库存,国内存储产业链正试图通过积极囤货和调涨价格,迎接这场结构性景气新时代。
四季度涨势超预期:AI驱动“计划性牺牲”引发供应结构失衡
众所周知,存储行业周期性极强,大涨后往往伴随着低迷。而今年,存储芯片价格的上涨已持续超过半年,进入四季度,其涨势非但没有趋缓,反而因多重因素叠加而进一步加剧。
CFM闪存市场最新报价显示,产业上游成本的急速攀升,DDR4 16Gb 3200现货报价本周已达到13.00美元,较上周暴涨30%;同时,512Gb Flash Wafer价格10月以来累计涨幅也已超过20%。
有存储产业链人士向财联社记者透露,目前原厂的部分Dram和Flash产品已经处于停止报价状态,就算报价,价格有效期也很短,“一天一个价”她说。
许家源则向记者预计,DRAM的整体价格(加计HBM)在第四季度将季增13%-18%。
多位存储从业人士均向记者表示,这种产业链全面上涨如此之长时间的“超级周期”,此前见所未见。
资本市场亦对这轮“超级周期”反应热烈。10月24日,A股存储芯片概念再度爆发,普冉股份(688076.SH)、香农芯创(300475.SZ)强势20%涨停,佰维存储(688525.SH)、江波龙(301308.SZ)等涨超10%。
AI驱动的产能转移引发产品供应的结构性失衡是此轮涨价的核心逻辑。
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