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【央视新闻客户端】
来源：财联社
财联社10月25日讯（记者 王碧微）“这次涨价的特别之处在于，我在这个行业这么多年，之前从未见过涨价周期能够持续这么久。”国内一家存储模组厂的员工近日向财联社记者感叹道。
眼下，存储芯片市场正经历一场由AI驱动的、前所未有的全面缺货与涨价潮。这场始于上半年的涨势，进入第四季度非但没有趋缓，反而有进一步加剧的迹象。
有存储产业链人士告诉财联社记者，目前部分存储原厂已经对部分Dram和Flash产线采取暂停报价策略；涨价压力亦已传导至终端市场，小米集团创始人雷军24日在微博上直言，“最近内存涨价实在太多”。
究其原因，此轮涨价的核心驱动力并非简单的周期性波动，而是以HBM为代表的AI需求爆发，正彻底打破存储行业的传统供需平衡。
TrendForce集邦咨询分析师许家源向财联社记者指出，原厂产能正优先分配给高阶Server DRAM和HBM，从而挤压了传统消费电子所需的DDR4、LPDDR4X等旧制程产品供给，DDR4的紧缺或持续到26年的H1。对于国内厂商而言，许家源认为模组厂已积极储备颗粒及晶圆（wafer）库存，国内存储产业链正试图通过积极囤货和调涨价格，迎接这场结构性景气新时代。
四季度涨势超预期：AI驱动“计划性牺牲”引发供应结构失衡
众所周知，存储行业周期性极强，大涨后往往伴随着低迷。而今年，存储芯片价格的上涨已持续超过半年，进入四季度，其涨势非但没有趋缓，反而因多重因素叠加而进一步加剧。
CFM闪存市场最新报价显示，产业上游成本的急速攀升，DDR4 16Gb 3200现货报价本周已达到13.00美元，较上周暴涨30%；同时，512Gb Flash Wafer价格10月以来累计涨幅也已超过20%。
有存储产业链人士向财联社记者透露，目前原厂的部分Dram和Flash产品已经处于停止报价状态，就算报价，价格有效期也很短，“一天一个价”她说。
许家源则向记者预计，DRAM的整体价格（加计HBM）在第四季度将季增13%-18%。
多位存储从业人士均向记者表示，这种产业链全面上涨如此之长时间的“超级周期”，此前见所未见。
资本市场亦对这轮“超级周期”反应热烈。10月24日，A股存储芯片概念再度爆发，普冉股份（688076.SH）、香农芯创（300475.SZ）强势20%涨停，佰维存储（688525.SH）、江波龙（301308.SZ）等涨超10%。
AI驱动的产能转移引发产品供应的结构性失衡是此轮涨价的核心逻辑。
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