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华尔街见闻
摩根大通认为，在AI计算对高性能内存的巨大需求的推动下，“内存饥渴”趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段，DRAM市场正迎来一个从2024年持续至2027年的“前所未有的四年定价上行周期”，预计到2027年，全球存储市场规模将达到近3000亿美元。
在AI永不满足的需求驱动下，全球存储芯片市场正进入一场前所未有的“饥饿游戏”。
据追风交易台消息，摩根大通分析师Jay Kwon、Sangsik Lee等在近日发布的报告中表示，由云服务提供商引领的“内存饥渴”趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段。
报告指出，这一轮周期的核心驱动力来自AI计算对高性能内存的巨大需求，其影响已从高端的高带宽内存（HBM）迅速扩展至传统DRAM和NAND闪存。市场动态显示，供应商在未来12个月内可能难以满足全部需求，从而支撑价格持续走强。
这场行业变局不仅限于DRAM市场的价格复苏，NAND闪存市场同样在经历强劲反弹，部分原因是硬盘驱动器（HDD）出现严重短缺，迫使客户转向企业级固态硬盘（eSSD）。
因此，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测，将2025至2026年的全球存储市场总体有效市场规模（TAM）预测上调了6%至24%，并预计到2027年，市场规模将达到近3000亿美元。
HBM引领，DRAM迎来罕见长周期
报告明确指出，DRAM市场正迎来一个从2024年持续至2027年的“前所未有的四年定价上行周期”。这一罕见的长周期打破了过去数年“大起大落”的行业规律，其背后的稳定器正是HBM。
报告预测，到2027年，HBM在DRAM市场总价值中的占比将高达43%。HBM的高价值和强劲需求将有效平滑传统DRAM价格的周期性波动，从而抬高整个DRAM市场的利润底线。
报告认为，即使在2026年HBM3E产品可能因供应增加而降价，但由于下一代HBM4将享有约35%的溢价，混合HBM平均售价（ASP）在2026年仍不太可能下降。
竞争格局方面，SK海力士被认为在HBM4的竞赛中处于领先地位，有望比竞争对手更早获得英伟达的认证，这可能使其占据超过60%的市场份额。报告认为，三星电子和美光或将争夺剩余的HBM4订单。
全球存储市场规模或达3000亿美元
本轮存储芯片需求的广度是其核心特征之一。除了作为焦点的HBM，需求正向更多元化的应用?
